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描述：SIPDR電阻率測(cè)試夾具用于測(cè)量超材料和電阻膜的表面阻抗，以及用于半導(dǎo)體晶片的電導(dǎo)率的非接觸式測(cè)量；可以測(cè)量的薄膜材料范圍包括表面阻抗Rs <20kΩ/sq的電阻層、金屬薄膜和導(dǎo)電聚合物薄膜。
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子/電池,包裝/造紙/印刷,航空航天,電氣 |
SIPDR電阻率測(cè)試夾具SiPDR（單柱介電諧振器）用于測(cè)量超材料和電阻膜的表面阻抗，以及用于半導(dǎo)體晶片的電導(dǎo)率的非接觸式測(cè)量；可以測(cè)量的薄膜材料范圍包括表面阻抗Rs<20kΩ/sq的電阻層、金屬薄膜和導(dǎo)電聚合物薄膜。
SIPDR電阻率測(cè)試夾具對(duì)于半導(dǎo)體晶片，電阻率測(cè)量的上限約為1000Ωcm。 具有較高電阻率值的半導(dǎo)體可以使用該諧振器方便地進(jìn)行測(cè)量。所有SiPDR（單柱介電諧振器）都是定制的。
| 類(lèi)型 | 參數(shù) |
| 厚度為h的樣品的測(cè)量精度 | ±2％ |
| 工作頻率 | 5 GHz |
| 工作溫度范圍 | -270°C 至 110°C |
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